Contacts

Prof. Efim OKS,
Co-Chairman

Institute of High Current Electronics
2/3 Akademicheskii Ave.
Tomsk, 634055
RUSSIA

Phone: +7-382-2-491-695, +7-382-2-491-776
Fax: +7-382-2-492-410
E-mail: isdeiv2012@hcei.tsc.ru

ОБЬ-2024 | V Научно-технический семинар по электронно-пучковому оборудованию и технологиям

10-14 Июня, 2024 | Новосибирск

Полученные томскими электрофизиками магнитозвуковые волны помогут в решении проблемы зажигания термоядерной реакции

Коллектив ученых ИСЭ СО РАН под руководством доктора физ.-мат. наук Владимира Орешкина экспериментально зарегистрировал и теоретически описал генерацию магнитозвуковых волн при взрывном сжатии проводников мегаамперными импульсами тока.

В ИСЭ СО РАН впервые в России реализовали вакуумное магнетронное распыление в непрерывном режиме

Исследователи из Института сильноточной электроники СО РАН предложили уникальную технологию вакуумного магнетронного распыления

EFRE 2024

The 9th International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2024)

Аспирантура

В настоящее время Институт осуществляет обучение по программам высшего образования – программам подготовки научно-педагогических кадров по 2 направлениям и 4 профилям.

ОБЪЯСНЯЕМ.РФ

Правительством РФ запущен интернет-портал портал Объясняем.рф – официальный ресурс для информирования граждан по актуальным вопросам о социально-экономической ситуации в России.

Противодействие коррупции
Противодействие терроризму

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт сильноточной электроники
Сибирского отделения Российской академии наук

Россия, 634055, г. Томск, проспект Академический, 2/3

Тел. +7 (3822) 491-544
Факс +7 (3822) 491-410
E-mail: contact@hcei.tsc.ru

Десятилетие науки и технологий

Национальный проект «Наука и университеты»

Об Институте за две минуты