Научный семинар ИСЭ СО РАН


Научный семинар ИСЭ СО РАН
19 мая 2022 г., четверг, 16:00

Докладчик: Толбанов Олег Петрович, д.ф.-м.н., профессор, директор Центра исследований и разработок "Перспективные технологии в микроэлектронике" (НИ ТГУ)
Научный доклад: "Направления работы Центра исследований и разработок "Перспективные технологии в микроэлектронике"

Конференц-зал (2 этаж)

Десятилетие науки и технологий

Открылась обновленная экспозиция "Десятилетие науки и технологий" на Международной выставке-форуме "Россия"

Национальный проект «Наука и университеты»

XXI век — время прорывных технологий и невероятных инноваций, создавать которые — профессия завтрашнего дня!

Об Институте за две минуты

Видеоролик об Институте сильноточной электроники СО РАН

ОБЬ-2024 | V Научно-технический семинар по электронно-пучковому оборудованию и технологиям

10-14 Июня, 2024 | Новосибирск

Полученные томскими электрофизиками магнитозвуковые волны помогут в решении проблемы зажигания термоядерной реакции

Коллектив ученых ИСЭ СО РАН под руководством доктора физ.-мат. наук Владимира Орешкина экспериментально зарегистрировал и теоретически описал генерацию магнитозвуковых волн при взрывном сжатии проводников мегаамперными импульсами тока.

СМИ О НАС

Публикации, статьи, видео об институте

В ИСЭ СО РАН впервые в России реализовали вакуумное магнетронное распыление в непрерывном режиме

Исследователи из Института сильноточной электроники СО РАН предложили уникальную технологию вакуумного магнетронного распыления

EFRE 2024

The 9th International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2024)

Аспирантура

В настоящее время Институт осуществляет обучение по программам высшего образования – программам подготовки научно-педагогических кадров по 2 направлениям и 4 профилям.

ОБЪЯСНЯЕМ.РФ

Правительством РФ запущен интернет-портал портал Объясняем.рф – официальный ресурс для информирования граждан по актуальным вопросам о социально-экономической ситуации в России.

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт сильноточной электроники
Сибирского отделения Российской академии наук

Россия, 634055, г. Томск, проспект Академический, 2/3

Тел. +7 (3822) 491-544
Факс +7 (3822) 491-410
E-mail: contact@hcei.tsc.ru





vk.com